Main pageContacts
Русский языкEnglish language

«Наша цель - организовать в России не только несколько крупных предприятий, но и полноценное содружество нано- технологической отрасли, где будут предствалены все направления бизнеса: частный и государственный бизнес, вплоть до транснациональных компаний»


Дмитрий Медведев,
Президент Российской Федерации.
Пленарное заседание Третьего Международного Форума по нано- технологиям, 3 ноября 2010 г.
Видеозапись выступления Президента РФ Дмитрия Медведева на III Международном Форуме по нанотехнологиям
 

Лица Форума

Анатолий Чубайс Анатолий Чубайс

Генеральный директор ГК «Роснанотех»

Выступление на пленарном заседании Форума 2010 г.

Сергей Иванов Сергей Иванов

Заместитель председателя Правительства РФ, председатель организационного комитета RUSNANOTECH 2010 Сергей Иванов
Видеозапись церемонии открытия III Международного форума по нанотехнологиям

Жорес Алферов Жорес Алферов

Лауреат Нобелевской премии, академик Жорес Алферов
Видеозапись церемонии открытия III Международного форума по нанотехнологиям

Стив Балмер Стив Балмер
Константин Новоселов Константин Новоселов

Нобелевский лауреат по физике 2010 года Константин Новоселов

Видеозапись пресс-лекции Нобелевского лауреата по физике 2010 года Константина Новоселова

Дмитрий Свергун Дмитрий Свергун

Лауреат Международной премии в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE 2010,

Руководитель группы Европейской молекулярно-биологической лаборатории, Дмитрий Свергун

Лев Фейгин Лев Фейгин

Лауреат Международной премии в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE 2010

Главный научный сотрудник Института кристаллографии РАН, профессор Лев Фейгин

Питер Лагнер Питер Лагнер

Лауреат Международной премии в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE 2010,

Генеральный директор компании Hecus X-ray Systems Gmbh (Австрия), профессор Питер Лагнер

Марина Галкина Марина Галкина

Лауреат Российской молодежной премии в области наноиндустрии,

Старший научный сотрудник научно-исследовательской лаборатории проблем разработки и внедрения ионно-плазменных технологий Белгородского государственного университета, Марина Галкина

Дрю Гафф Дрю Гафф

Управляющий директор и основатель инвестиционного венчурного фонда «Сигулер, Гафф и Ко» Дрю Гафф

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Сергей Гуриев Сергей Гуриев

Ректор Российской Экономической Школы, профессор Сергей Гуриев

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Александр Галицкий Александр Галицкий

Кандидат технических наук, управляющий партнер Алмаз Кэпитал Партнерс Александр Галицкий

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Владимир Познер Владимир Познер

Ведущий пленарной дискуссии, Владимир Познер

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Андрей Гудков Андрей Гудков

Старший вице-президент Центра по изучению рака в Роузвелл-Парк, профессор Андрей Гудков

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Виктор Вексельберг Виктор Вексельберг

Председатель совета директоров группы компаний Ренова, координатор проекта «Сколково» Виктор Вексельберг

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Напечатаны самые быстрые транзисторы на нанотрубках

Первые прототипы работали на частотах выше 2 килогерц, при напряжении 2,5 вольта на подложках как из полиимида, так и из диоксида кремния.

Группа профессора Марка Херсама (Mark Hersam) из Северо-Западного университета создала печатные электрические схемы, работающие быстро и при этом потребляющие небольшие мощности. Для этого учёные заменили малопроизводительные органические полупроводники на углеродные нанотрубки.

Ранее учёным удавалось заставить нанотрубки работать быстро, но при этом те потребляли большое количество энергии. Если взять в качестве примера дисплей, то разработчикам приходилось искать «золотую середину» между частотой обновления картинки и сроком службы батареи устройства, сравнивает Technology Review.

Херсам связался с профессором Дэниелом Фрисби (Daniel Frisbie) из университета Миннесоты, и они вместе придумали, как обойти недостатки. Чтобы ещё больше ускорить процесс переключения, Марк и его коллеги при помощи разработанного ещё в 2006 году метода отделили от нужных полупроводниковых нанотрубок те, что обладали металлическими свойствами (последние портят микросхемы).

Далее, чтобы снизить энергозатраты, учёные взяли в качестве непроводящего материала новый гель (какой именно, рассказывает статья в журнале ACS Nano), который даже при толстом нанесении при печати не ухудшал электрические характеристики.

Соединив «чистые» углеродные нанотрубки и новый гель, исследователи получили «бутерброд» с рекордными для печатной электроники параметрами. Можно сказать, что теперь чипы на нанотрубках стали чуть ближе к практическому использованию. Пока американцы сумели создать схемы с 14 транзисторами, но в будущем планируют поднять планку до 100 штук.

Херсам полагает, что новые схемы на нанотрубках могли бы пригодиться при создании гибких дисплеев, например на основе органических светодиодов, или миниатюрных устройств, доставляющих лекарства.

Popnano.ru, 14.07.2010

14.07.2010



Версия для печати   Вернуться в раздел   Вернуться на главную

Дирекция Форума Фонд содействия развитию нанотехнологий
«Форум Роснанотех»
117036, Россия, Москва, проспект 60-летия Октября, 10А
Тел.: +7 (495) 542-44-44,
факс: +7 (495) 988-56-82
e-mail: rusnanoforum2010@rusnano.com
www.rusnanoforum.ru