Main pageContacts
Русский языкEnglish language

«Наша цель - организовать в России не только несколько крупных предприятий, но и полноценное содружество нано- технологической отрасли, где будут предствалены все направления бизнеса: частный и государственный бизнес, вплоть до транснациональных компаний»


Дмитрий Медведев,
Президент Российской Федерации.
Пленарное заседание Третьего Международного Форума по нано- технологиям, 3 ноября 2010 г.
Видеозапись выступления Президента РФ Дмитрия Медведева на III Международном Форуме по нанотехнологиям
 

Лица Форума

Анатолий Чубайс Анатолий Чубайс

Генеральный директор ГК «Роснанотех»

Выступление на пленарном заседании Форума 2010 г.

Сергей Иванов Сергей Иванов

Заместитель председателя Правительства РФ, председатель организационного комитета RUSNANOTECH 2010 Сергей Иванов
Видеозапись церемонии открытия III Международного форума по нанотехнологиям

Жорес Алферов Жорес Алферов

Лауреат Нобелевской премии, академик Жорес Алферов
Видеозапись церемонии открытия III Международного форума по нанотехнологиям

Стив Балмер Стив Балмер
Константин Новоселов Константин Новоселов

Нобелевский лауреат по физике 2010 года Константин Новоселов

Видеозапись пресс-лекции Нобелевского лауреата по физике 2010 года Константина Новоселова

Дмитрий Свергун Дмитрий Свергун

Лауреат Международной премии в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE 2010,

Руководитель группы Европейской молекулярно-биологической лаборатории, Дмитрий Свергун

Лев Фейгин Лев Фейгин

Лауреат Международной премии в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE 2010

Главный научный сотрудник Института кристаллографии РАН, профессор Лев Фейгин

Питер Лагнер Питер Лагнер

Лауреат Международной премии в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE 2010,

Генеральный директор компании Hecus X-ray Systems Gmbh (Австрия), профессор Питер Лагнер

Марина Галкина Марина Галкина

Лауреат Российской молодежной премии в области наноиндустрии,

Старший научный сотрудник научно-исследовательской лаборатории проблем разработки и внедрения ионно-плазменных технологий Белгородского государственного университета, Марина Галкина

Дрю Гафф Дрю Гафф

Управляющий директор и основатель инвестиционного венчурного фонда «Сигулер, Гафф и Ко» Дрю Гафф

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Сергей Гуриев Сергей Гуриев

Ректор Российской Экономической Школы, профессор Сергей Гуриев

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Александр Галицкий Александр Галицкий

Кандидат технических наук, управляющий партнер Алмаз Кэпитал Партнерс Александр Галицкий

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Владимир Познер Владимир Познер

Ведущий пленарной дискуссии, Владимир Познер

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Андрей Гудков Андрей Гудков

Старший вице-президент Центра по изучению рака в Роузвелл-Парк, профессор Андрей Гудков

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Виктор Вексельберг Виктор Вексельберг

Председатель совета директоров группы компаний Ренова, координатор проекта «Сколково» Виктор Вексельберг

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Новые возможности для реализации спинтронных приборов

В Физическом институте им. П.Н. Лебедева РАН (ФИАН) в сотрудничестве с Московским инженерно-физическим институтом (МИФИ) созданы новые наноструктуры, которые позволяют реализовать энергонезависимую магниторезистивную память.

Стремительный процесс миниатюризации полупроводниковых приборов требует новых материалов. В обычной полупроводниковой электронике в качестве носителя информации используется электрический заряд электрона. В так называемой спинтронике в качестве носителя информации предполагается использовать спиновое состояние электрона. Управлять этим состоянием можно с помощью магнитного поля. Представляем только что завершенную работу, в которой получены и исследованы наноструктуры ферромагнетик-изолятор-ферромагнетик на основе FeSix и FeOy. ФИАН и МИФИ давно и плодотворно сотрудничают по ряду направлений. Несколько десятков лет работает Высшая школа физиков ФИАН-МИФИ. Подобная интеграция ведущих исследовательских институтов и вузов является одним из наиболее эффективных путей достижения научных результатов, в ходе которых осуществляется подготовка научных кадров высшей квалификации. Целью работы, выполненной молодым ученым Александром Юрьевичем Гойхманом под руководством кандидата физ.-мат. наук Андрея Владимировича Зенкевича и доктора физ.-мат. наук, профессора, заместителя директора Физического института им. П.Н.Лебедева РАН Владимира Николаевича Неволина, была разработка оптимальных условий формирования и функционирования таких наноструктур.

«Среди возможных материалов электрода в элементах магнитной памяти особый интерес представляет использование полуметаллов, которые потенциально могут давать значения спиновой поляризации электронов, близкие к 100%. Однако достижение такого предельного теоретического значения в объемном материале невозможно. А вот свойства предельно тонких слоев совершенно иные, именно в них и возможна реализация максимальных значений спиновой поляризации. При этом критически важна как комбинация материалов ферромагнитных электродов и туннельного изолятора, так и гладкость межслойных границ, да и другие факторы влияют на результат. Например, существенно даже, какая именно атомная плоскость является терминальной (граничной) в слое», — рассказывает Александр Гойхман.

Весьма важен подбор пары соседних электродов, разделенных тончайшим (1-2 нм) слоем диэлектрика. Каждый из этих электродов (слоев) обладает ферромагнитными свойствами, однако важно такое сочетание их свойств, чтобы одно и то же внешнее магнитное поле меняло ориентацию намагниченности в одном из электродов и одновременно оставляло неизменной ориентацию намагниченности в соседнем электроде.

Комментирует Владимир Николаевич Неволин: «В принципе такое направление, как спинтроника, прямо относится к разряду нанотехнологических вещей. Надо контролировать направление спинов, т.е. намагниченность среды и уметь „переворачивать“, менять относительную ориентацию спинов в соседних, отстоящих друг от друга буквально на пару нанометров областях. Ясно, что без привлечения широкого спектра прецизионных аналитических методов, „на коленке“, решать эту проблему бессмысленно. Применяемый нами метод импульсного лазерного осаждения в сверхвысоком вакууме именно и позволяет одновременно и осуществлять формирование наноструктур, и анализировать процесс on-line, контролируя толщину и гладкость получающегося слоя с точностью до одной десятой доли (!) атомной плоскости. С точки зрения отработки начальных этапов создания таких новых материалов с заданными свойствами нужен именно лазер как самая простая в управлении и в то же время весьма идеально вписывающаяся в любой свервысоковакуумный объем система.»

Таким образом, предложена новая комбинация материалов и разработан способ формирования структур FeOy/MgO/FeSix, обладающих независимым переключением намагниченностей в ферромагнитных слоях при сверхтонком изолирующем слое. Эта ячейка может стать базовой для всех будущих приборов, использующих эффект «гигантского» магнитосопротивления.

Popnano.ru, 17.08.2010

17.08.2010



Версия для печати   Вернуться в раздел   Вернуться на главную

Дирекция Форума Фонд содействия развитию нанотехнологий
«Форум Роснанотех»
117036, Россия, Москва, проспект 60-летия Октября, 10А
Тел.: +7 (495) 542-44-44,
факс: +7 (495) 988-56-82
e-mail: rusnanoforum2010@rusnano.com
www.rusnanoforum.ru