Main pageContacts
Русский языкEnglish language

«Наша цель - организовать в России не только несколько крупных предприятий, но и полноценное содружество нано- технологической отрасли, где будут предствалены все направления бизнеса: частный и государственный бизнес, вплоть до транснациональных компаний»


Дмитрий Медведев,
Президент Российской Федерации.
Пленарное заседание Третьего Международного Форума по нано- технологиям, 3 ноября 2010 г.
Видеозапись выступления Президента РФ Дмитрия Медведева на III Международном Форуме по нанотехнологиям
 

Лица Форума

Анатолий Чубайс Анатолий Чубайс

Генеральный директор ГК «Роснанотех»

Выступление на пленарном заседании Форума 2010 г.

Сергей Иванов Сергей Иванов

Заместитель председателя Правительства РФ, председатель организационного комитета RUSNANOTECH 2010 Сергей Иванов
Видеозапись церемонии открытия III Международного форума по нанотехнологиям

Жорес Алферов Жорес Алферов

Лауреат Нобелевской премии, академик Жорес Алферов
Видеозапись церемонии открытия III Международного форума по нанотехнологиям

Стив Балмер Стив Балмер
Константин Новоселов Константин Новоселов

Нобелевский лауреат по физике 2010 года Константин Новоселов

Видеозапись пресс-лекции Нобелевского лауреата по физике 2010 года Константина Новоселова

Дмитрий Свергун Дмитрий Свергун

Лауреат Международной премии в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE 2010,

Руководитель группы Европейской молекулярно-биологической лаборатории, Дмитрий Свергун

Лев Фейгин Лев Фейгин

Лауреат Международной премии в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE 2010

Главный научный сотрудник Института кристаллографии РАН, профессор Лев Фейгин

Питер Лагнер Питер Лагнер

Лауреат Международной премии в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE 2010,

Генеральный директор компании Hecus X-ray Systems Gmbh (Австрия), профессор Питер Лагнер

Марина Галкина Марина Галкина

Лауреат Российской молодежной премии в области наноиндустрии,

Старший научный сотрудник научно-исследовательской лаборатории проблем разработки и внедрения ионно-плазменных технологий Белгородского государственного университета, Марина Галкина

Дрю Гафф Дрю Гафф

Управляющий директор и основатель инвестиционного венчурного фонда «Сигулер, Гафф и Ко» Дрю Гафф

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Сергей Гуриев Сергей Гуриев

Ректор Российской Экономической Школы, профессор Сергей Гуриев

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Александр Галицкий Александр Галицкий

Кандидат технических наук, управляющий партнер Алмаз Кэпитал Партнерс Александр Галицкий

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Владимир Познер Владимир Познер

Ведущий пленарной дискуссии, Владимир Познер

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Андрей Гудков Андрей Гудков

Старший вице-президент Центра по изучению рака в Роузвелл-Парк, профессор Андрей Гудков

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Виктор Вексельберг Виктор Вексельберг

Председатель совета директоров группы компаний Ренова, координатор проекта «Сколково» Виктор Вексельберг

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Создан запоминающий элемент на основе оксида графена

Учёные из Южной Кореи и США представили простой в изготовлении и надёжный элемент энергонезависимой резистивной памяти, который можно располагать на гибкой подложке.

В будущем резистивная память, как ожидается, станет серьёзным конкурентом традиционных «зарядовых» устройств — к примеру, DRAM или флеш-памяти. Элементы с требуемыми свойствами уже конструировали на базе халькогенидов, аморфного кремния, оксидов переходных металлов (NiO, TiO2, ZnO), наночастиц Fe3O4 и некоторых других материалов. Большую известность приобрели мемристоры, созданные в 2008 году специалистами НР с использованием диоксида титана.

В устройстве НР два массива параллельных проводников, ориентированные перпендикулярно друг другу, разделяются тонким слоем TiO2. Новый элемент в целом повторяет эту конструкцию, но между алюминиевыми проводниками находится не TiO2, а оксид графена.

При создании опытных образцов авторы подготавливали оксид графита, а затем путём обработки ультразвуком в воде получали оксид графена. На гибкой подложке из полиэфирсульфона располагались алюминиевые проводники шириной 50 мкм и толщиной 70 нм, которые покрывались слоем оксида толщиной около 15 нм. Сверху наносился аналогичный первому массив алюминиевых электродов, формировавших 25 отдельных устройств в местах наложения проводников из верхнего и нижнего слоёв.

По своим размерам элементы на порядки превосходят мемристоры НР, но авторы не считают этот недостаток критическим и рассчитывают на то, что производителей привлечёт невысокая стоимость и гибкость устройств. Графеновые элементы продемонстрировали возможность 100 тысяч раз переходить из одного состояния в другое (то есть резко изменять сопротивление) при переключающем напряжении в ~2,5 В; число таких циклов, как предполагается, можно будет довести и до одного миллиона. Эксперименты по оценке времени хранения останавливались на отметке в 105 с (около 27 часов), но исследователи уверяют, что первые образцы, изготовленные в сентябре прошлого года, до сих пор сохраняют заданное состояние. Устройства также легко выдержали тысячу циклов сгибания.

Popnano.ru, 15.10.2010

15.10.2010



Версия для печати   Вернуться в раздел   Вернуться на главную

Дирекция Форума Фонд содействия развитию нанотехнологий
«Форум Роснанотех»
117036, Россия, Москва, проспект 60-летия Октября, 10А
Тел.: +7 (495) 542-44-44,
факс: +7 (495) 988-56-82
e-mail: rusnanoforum2010@rusnano.com
www.rusnanoforum.ru