Main pageContacts
Русский языкEnglish language

«Наша цель - организовать в России не только несколько крупных предприятий, но и полноценное содружество нано- технологической отрасли, где будут предствалены все направления бизнеса: частный и государственный бизнес, вплоть до транснациональных компаний»


Дмитрий Медведев,
Президент Российской Федерации.
Пленарное заседание Третьего Международного Форума по нано- технологиям, 3 ноября 2010 г.
Видеозапись выступления Президента РФ Дмитрия Медведева на III Международном Форуме по нанотехнологиям
 

Лица Форума

Анатолий Чубайс Анатолий Чубайс

Генеральный директор ГК «Роснанотех»

Выступление на пленарном заседании Форума 2010 г.

Сергей Иванов Сергей Иванов

Заместитель председателя Правительства РФ, председатель организационного комитета RUSNANOTECH 2010 Сергей Иванов
Видеозапись церемонии открытия III Международного форума по нанотехнологиям

Жорес Алферов Жорес Алферов

Лауреат Нобелевской премии, академик Жорес Алферов
Видеозапись церемонии открытия III Международного форума по нанотехнологиям

Стив Балмер Стив Балмер
Константин Новоселов Константин Новоселов

Нобелевский лауреат по физике 2010 года Константин Новоселов

Видеозапись пресс-лекции Нобелевского лауреата по физике 2010 года Константина Новоселова

Дмитрий Свергун Дмитрий Свергун

Лауреат Международной премии в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE 2010,

Руководитель группы Европейской молекулярно-биологической лаборатории, Дмитрий Свергун

Лев Фейгин Лев Фейгин

Лауреат Международной премии в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE 2010

Главный научный сотрудник Института кристаллографии РАН, профессор Лев Фейгин

Питер Лагнер Питер Лагнер

Лауреат Международной премии в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE 2010,

Генеральный директор компании Hecus X-ray Systems Gmbh (Австрия), профессор Питер Лагнер

Марина Галкина Марина Галкина

Лауреат Российской молодежной премии в области наноиндустрии,

Старший научный сотрудник научно-исследовательской лаборатории проблем разработки и внедрения ионно-плазменных технологий Белгородского государственного университета, Марина Галкина

Дрю Гафф Дрю Гафф

Управляющий директор и основатель инвестиционного венчурного фонда «Сигулер, Гафф и Ко» Дрю Гафф

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Сергей Гуриев Сергей Гуриев

Ректор Российской Экономической Школы, профессор Сергей Гуриев

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Александр Галицкий Александр Галицкий

Кандидат технических наук, управляющий партнер Алмаз Кэпитал Партнерс Александр Галицкий

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Владимир Познер Владимир Познер

Ведущий пленарной дискуссии, Владимир Познер

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Андрей Гудков Андрей Гудков

Старший вице-президент Центра по изучению рака в Роузвелл-Парк, профессор Андрей Гудков

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Виктор Вексельберг Виктор Вексельберг

Председатель совета директоров группы компаний Ренова, координатор проекта «Сколково» Виктор Вексельберг

Видеозапись панельной дискуссии «Стимулы и барьеры для инноваций»

Нанозонд покажет взаимодействие между основанием и молекулами

В связи с постоянным уменьшением размеров электроники, все ощутимее становится необходимость глубокого понимания явлений наноуровня, потому что в этом диапазоне свойства некоторых материалов меняются. Как сообщает physorg.com, группа исследователей под руководством Пола Уэйсса (Paul Weiss) разработала прибор для изучения наноразмерных взаимодействий. Устройство совмещает в себе возможности сканирующего туннельного и микроволнового частотного зонда, который может измерять взаимодействия между одиночными молекулами и поверхностью, к которой эти молекулы прикреплены.

Одновременно полученные изображения и карты поляризуемости четырех различных семейств молекул, включая одномолекулярные переключатели, которыми можно управлять, одновременно получая изображение, с помощью СТМ (сканирующей туннельной микроскопии).

Команда, в состав которой вошли химик-теоретик Марк Ратнер из Северо-западного Университета (США) и химик-синтетик Джеймс Тур из Райсовского Университета (США), опубликовала данные в рецензируемом научном журнале ACS Nano.

«Наш зонд может обрабатывать данные о физических, химических и электронных взаимодействиях между одиночными молекулами и основаниями, контактами, с которыми они соприкасаются. Как и в полупроводниковых устройствах, контакты здесь имеют очень большое значение», - отметил Пол Уэйсс, заслуженный профессор химии, биохимии, материаловедения и технических наук, а также руководитель Калифорнийского Института наносистем.

В последние 50 лет электронная промышленность старалась придерживаться Закона Мура, согласно которому размер транзисторов на микросхемах должен удваиваться примерно каждые два года. Сценарий постепенного уменьшения размеров электроники достиг момента, когда должны конструироваться нанотранзисторы. Однако в связи со сложностью изучения явлений на таком малом уровне, затрудняется и производство действующих устройств.

Связи между компонентами – это жизненно важный элемент наноразмерной электроники. В случае молекулярных устройств, поляризуемость измеряет степень, с которой электроны контакта взаимодействуют с электронами молекулы. Два ключевых аспекта измерений поляризуемости – это возможность проводить измерения на поверхности с субнанометровым разрешением и управлять молекулярными переключателями во включенном и выключенном состоянии.

Чтобы измерить поляризуемость одной молекулы, исследовательская команда разработала зонд, допускающий одновременное измерение с помощью сканирующей туннельной микроскопии и микроволновые разночастотные измерения. Применив зонд на практике, команда смогла определить местонахождение одномолекулярных переключателей на основаниях, даже когда переключатели были в выключенном состоянии (ранее это было невозможно). Определив местонахождение переключателей, ученые смогли использовать СТМ, чтобы изменить состояние на "вкл" или "выкл", чтобы в каждом из них измерить взаимодействия между переключателями и основанием.

Полученные данные связаны, главным образом, с определением будущих границ электроники, а не с производством устройств. В связи с широкими измерительными возможностями зонда, его также можно использовать для определения субмолекулярных структур в сложных биомолекулах и совокупностях.

Popnano.ru, 19.11.2010

22.11.2010



Версия для печати   Вернуться в раздел   Вернуться на главную

Дирекция Форума Фонд содействия развитию нанотехнологий
«Форум Роснанотех»
117036, Россия, Москва, проспект 60-летия Октября, 10А
Тел.: +7 (495) 542-44-44,
факс: +7 (495) 988-56-82
e-mail: rusnanoforum2010@rusnano.com
www.rusnanoforum.ru