Main pageContacts
Русский языкEnglish language

«Наша цель - организовать в России не только несколько крупных предприятий, но и полноценное содружество нано- технологической отрасли, где будут предствалены все направления бизнеса: частный и государственный бизнес, вплоть до транснациональных компаний»


Дмитрий Медведев,
Президент Российской Федерации.
Пленарное заседание Третьего Международного Форума по нано- технологиям, 3 ноября 2010 г.
Видеозапись выступления Президента РФ Дмитрия Медведева на III Международном Форуме по нанотехнологиям
 

Лица Rusnanotech 2010

Анатолий Чубайс Анатолий Чубайс

Генеральный директор ГК «Роснанотех»

Выступление на пленарном заседании Форума 2010 г.

Сергей Иванов Сергей Иванов

Заместитель председателя Правительства РФ, председатель организационного комитета RUSNANOTECH 2010 Сергей Иванов
Видеозапись церемонии открытия III Международного форума по нанотехнологиям

Стив Балмер Стив Балмер
Константин Новоселов Константин Новоселов

Новая технология неразрушающего исследования микросхем

На физфаке МГУ им. М. В. Ломоносова разработана технология неразрушающего исследования микросхем методом электронной микротомографии.

В последние годы микроэлектроника интенсивно переходит в наноэлектронику. Существенно усложняется контроль и диагностика микросхем из-за постоянно уменьшающихся размеров их отдельных компонентов. Когда-то счет шел на микроны, потом на субмикроны, а теперь – на десятки нанометров. На больших микросхемах, которые установлены в компьютерных процессорах, размер кристалла составляет несколько миллиметров. А таких элементов там может быть более миллиарда – и все это на очень малых площадях. Микросхемы все чаще выполняются многослойными и если вдруг на каком-то слое происходит сбой в работе, то крайне сложно определить, где именно появился дефект.

По сообщению электронного журнала «Нанотехнологии и их применение», в объединнной лаборатории по микроскопии и электронной микротомографии на физфаке МГУ им. М. В. Ломоносова разработан метод, позволяющий получать качественное изображение отдельных тонких слоев микроструктуры. Базируется он на детектировании части обратно рассеянных электронов, профильтрованных по их энергии. Для анализа электронов ученые использовали оригинальный спектрометр с тороидальными электродами. Авторы адаптировали его к растровому микроскопу для получения качественных изображений.

Чтобы располагать дополнительной информацией о распределении потенциальных барьеров в исследуемой структуре, нужно провести одновременное детектирование электронно-индуцированного потенциала на образце. В этом режиме датчиком сигнала служит металлическое кольцо, помещенное непосредственно между спектрометром и поверхностью тестируемой структуры. Этот сигнал поступает на экран микроскопа, формируя картину всех электрически активных фрагментов полупроводникового кристалла или микросхемы.

Ученые подчеркивают, что диагностика неразрушающая и не требует электромеханических контактов для доступа к любым элементам микросхемы, что делает ее пригодной для тестирования и контроля качества изделия на всех технологических этапах производства прибора. Другими словами, эти методы пригодны как для тестирования объемного (трехмерного) строения тонкопленочных многослойных микро- и наноструктур, так и для картографирования всех электрически активных элементов исследуемого образца (локальных потенциальных барьеров, дефектов полупроводникового кристалла, распределения примесей и скопления рекомбинационных центров).

Nanonewsnet.ru, 13.03.2011

14.03.2011



Версия для печати   Вернуться в раздел   Вернуться на главную

Дирекция Форума Фонд содействия развитию нанотехнологий
«Форум Роснанотех»
117036, Россия, Москва, проспект 60-летия Октября, 10А
Тел.: +7 (495) 988-56-81
факс: +7 (495) 988-56-82
e-mail: rusnanoforum2011@rusnano.com
www.rusnanoforum.ru